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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
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- 破壞性物理分析
- · 開蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
剖面/晶背研磨
描述: 利用砂紙或鉆石砂紙,搭配研磨頭作局部研磨(Polishing),加上后續(xù)的拋光,可處理出清晰的樣品表面。剖面、斷面研磨與晶背研磨(Backside Polishing),都是為了可以銜接后續(xù)的分析檢測(cè)。
研磨(Polishing)基本流程
切割:利用切割機(jī)裁將樣品裁切成適當(dāng)尺寸;
冷埋:利用混合膠填滿樣品隙縫,增強(qiáng)樣品之結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,避免受研磨應(yīng)力而造樣品毀損;
研磨:樣品以不同粗細(xì)之砂紙 (或鉆石砂紙),進(jìn)行研磨;
拋光:于絨布轉(zhuǎn)盤上加入適當(dāng)?shù)膾伖庖海M(jìn)行拋光以消除研磨所殘留的細(xì)微刮痕。
應(yīng)用范圍:
芯片產(chǎn)品,如覆晶封裝( Flip Chip)、鋁/銅制程結(jié)構(gòu)、C-MOS Image Sensor;
PCB/PCBA等各種板材或成品;LED成品。
檢測(cè)圖片:
晶背研磨(Backside Polishing):
一般芯片晶背研磨
COB封裝形式晶背研磨
晶背研磨后, OBIRCH分析影像
剖面研磨 (Cross-section):
Package樣品剖面研磨
MOSFET剖面研磨
銅制程剖面研磨